Dorongan untuk menghadirkan fitur AI yang lebih berat di ponsel dan tablet membuat kebutuhan memori ikut naik kelas. Samsung kini dikabarkan menyiapkan jenis RAM yang jauh lebih kencang untuk perangkat genggam, dengan pendekatan yang tidak lagi mengandalkan RAM mobile biasa.
Teknologi yang dibidik adalah High Bandwidth Memory atau HBM, jenis memori yang selama ini lebih dekat dengan server dan GPU kelas atas. Langkah ini menunjukkan bahwa performa memori mulai menjadi bagian penting dalam perlombaan perangkat AI, terutama saat pemrosesan harus berlangsung cepat di ruang perangkat yang sangat terbatas.
HBM diarahkan ke perangkat mobile
HBM menawarkan kecepatan lebih tinggi dan efisiensi daya yang lebih baik dibanding RAM tradisional. Dengan karakter seperti itu, ponsel dan tablet berpeluang menangani pemrosesan AI yang lebih berat langsung di perangkat, tanpa terlalu bergantung pada sistem lain.
Kebutuhan seperti ini muncul karena beban kerja AI di perangkat genggam terus bertambah. Di saat yang sama, perangkat mobile tetap dituntut hemat daya, stabil, dan tidak cepat panas meski menjalankan proses yang intens.
Masalah RAM lama di tengah beban AI
Samsung disebut masih melihat keterbatasan pada DRAM tradisional yang dipakai di smartphone dan tablet saat ini. Salah satu hambatannya ada pada metode copper wire bonding, yang punya keterbatasan pada jumlah jalur input-output.
Kondisi itu membuat efisiensi transfer data dan pengendalian panas dinilai kurang optimal ketika komputasi makin berat. Pada perangkat seperti ponsel dan tablet, kelemahan semacam ini menjadi semakin terasa karena ruang internal tidak selonggar server atau kartu grafis desktop.
FOWLP jadi kunci pengemasan chip
Untuk mengatasi tantangan tersebut, Samsung dikabarkan akan memakai Fan-Out Wafer Level Packaging atau FOWLP. Metode pengemasan chip ini juga digunakan pada chipset seperti Exynos 2600.
FOWLP dinilai membantu meningkatkan ketahanan panas dan menjaga performa tetap stabil saat perangkat bekerja di bawah beban berat, termasuk untuk pemrosesan AI. Teknologi ini juga diklaim dapat menambah jumlah terminal I/O dan mendorong bandwidth hingga 30 persen lebih tinggi.
Susunan bertingkat lewat VCS
Selain FOWLP, Samsung juga disebut mengembangkan teknologi lain bernama Vertical Copper Post Stack atau VCS. Melalui pendekatan ini, chip DRAM disusun bertingkat seperti tangga dan dihubungkan dengan pilar tembaga berukuran sangat kecil.
Cara ini memungkinkan bandwidth memori ditingkatkan secara signifikan meski ruang di dalam smartphone sangat sempit. Untuk perangkat AI, jalur data yang lebih cepat antara memori dan prosesor menjadi faktor penting agar kinerja tetap responsif.
Laporan ETNews menyebut rasio tinggi pilar tembaga dalam teknologi VCS meningkat tajam. Rasio itu dikabarkan naik dari sekitar 3-5:1 menjadi 15-20:1.
Masih ada hambatan teknis
Meski menjanjikan, pengembangan HBM untuk perangkat mobile belum lepas dari tantangan besar. Pilar tembaga yang terlalu kecil berisiko bengkok atau bahkan patah jika diameternya berada di bawah 10 mikrometer.
Karena itu, Samsung disebut memanfaatkan FOWLP untuk memperkuat struktur chip. Caranya dengan memperluas jalur kabel tembaga ke area luar agar struktur tetap kokoh sekaligus mendukung performa transfer data.
Belum dekat ke pasar
Hingga kini belum ada kepastian kapan HBM versi mobile itu akan dipasarkan secara resmi. Namun teknologi tersebut diperkirakan bisa muncul pada chipset Samsung generasi berikutnya, seperti Exynos 2800 atau Exynos 2900.
Minat terhadap HBM untuk perangkat mobile ternyata tidak hanya datang dari Samsung. Apple juga disebut sedang mengeksplorasi penggunaan HBM untuk iPhone masa depan, sementara Huawei dikabarkan masih berada pada tahap penelitian.
Perkembangan ini menunjukkan bahwa industri mulai memandang memori berbandwidth tinggi sebagai komponen penting untuk evolusi AI di perangkat genggam. Di tengah harga RAM mobile yang masih tinggi, adopsi HBM di smartphone tampaknya belum akan terjadi dalam waktu dekat, meski arah pengembangannya sudah semakin jelas.
Source: tekno.kompas.com-
-
-
-
